颜世申，现任山东大学教授、博士生导师。国家杰出青年基金获得者、山东省杰出青年基金获得者、教育部新世纪优秀人才、德国洪堡学者。2008年获山东省自然科学一等奖，2010年被评为山东省有突出贡献的中青年专家。兼任国家自然科学基金委数理学部专家评审组成员、中科院物理所磁学国家重点实验室学术委员会委员、中国电子学会应用磁学分会学术委员会副主任。

颜世申教授的研究领域是自旋电子学，主要研究方向包括磁性半导体、自旋电子注入半导体、自旋电池、磁电阻等。作为课题负责人完成国家973 课题、教育部新世纪人才支持计划项目、国家自然科学基金面上项目、山东省杰出青年基金项目等6项。目前正负责国家杰出青年基金项目、973课题、111引智计划项目、国家重点实验室自由探索项目4项。

颜世申教授的研究成果已获得国家发明专利授权5项；发表SCI论文100多篇，其中12篇发表在《Physical Review B》、14篇发表在《Applied Physics Letters》上。部分成果已被他人写进了教科书和特邀综述文章，并被许多研究组广泛采用。

近年科研成果的主要创新点：（1）研制了具有独立自主知识产权的ZnCoO等6种高含量过渡金属元素的氧化物磁性半导体，发现这类新材料具有高居里点、高自旋极化率、巨磁光克尔效应等优良物理特性，有望成为高效的自旋注入源。（2）提出了自旋相关的电子变程跃迁理论模型，定量解释了磁性半导体的磁电阻起源，提供了测量自旋极化率的新方法。