徐现刚教授团队在8英寸导电型碳化硅衬底制备技术领域取得重要突破
近日,山东大学徐现刚教授团队在8英寸导电型碳化硅(SiC)单晶衬底制备技术领域取得重要突破。团队与南砂晶圆半导体公司合作,采用物理气相传输法(PVT)扩径制备了8英寸导电型4H-SiC单晶,并加工成厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底,经测试表征,衬底微管密度小于0.3/cm2,4H-SiC晶型比例100%,电阻率平均值22mΩ•cm,不均匀性小于4%,衬底(004)面高分辨XRD 5点摇摆曲线半峰宽平均值32.7弧秒,说明明衬底具有良好的结晶质量,边缘...
发布时间:2022-09-22
