一、仪器简介
1、型号：PVD500
2、生产厂家：中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司
3、主要技术指标：
一、应用范围和要求
系统为双室结构，主要由溅射真空室、进样室、磁控溅射靶、直流电源、射频电源、阳极层离子源、工作气路、旋转加热基片台、真空获得系统、安装机台、真空测量、水冷却及报警系统和控制系统等部分组成。主要用于Au、Ag、Pt、W、Mo、Ta、Ti、Al、Si、Cu、Fe、Ni、氧化铝、氧化钛、氧化锆、ITO、AZO、氮化钽、氮化钛等金属膜的制备。
二、溅射真空室性能指标
1、溅射真空室尺寸约500mm*500mm*500mm，304不锈钢材质，具备腔内烘烤功能、具备腔外照明功能，具有观察窗。
2、脂润滑分子泵及变频控制电源：1台，抽速≥1300L/s。
3、旋片真空泵：1台，抽速≥13L/s。
4、溅射真空室真空测量：数显真空计系统，1套，测量范围：1x105Pa-1x10-5Pa。
5、工艺真空测量：薄膜真空规系统，1套，规格≤13.3Pa。
6、溅射真空室极限真空度：≤7x10-5Pa
7、溅射真空室真空抽速：≤30min可达到6.6x10-4Pa
8、溅射真空室系统停泵关机12小时后，真空度≤5Pa。
9、磁控溅射系统要求：靶材≥3英寸，3套。每个靶需配备挡板；靶机距手动可调范围：110-150mm
10、直流溅射电源最大功率≥500W，2套；射频溅射电源最大功率≥500W，1套；
11、直流溅射电源要求输出功率范围为0W-500W，输出电流：0A-0.9A。射频电源频率为13.56MHZ。
12、溅射气体系统要求：200SCCM（氩气）、100SCCM（氮气）、100SCCM（氧气）质量流量控制器。（准确度：±1.5%F.S）
13、溅射系统：可单独溅射、轮流溅射及共溅射功能，磁控靶与基片的距离可调
14、基片加热炉炉温：500±1℃。
15、样品台：具有偏压电源。
16、系统控制：采用触摸屏集成自动控制方式。控制软件要有软件著作权。
#17、基片尺寸：最大可放置4英寸圆形样品；
#18、溅射膜厚均匀性优于±3%（以铜标定）；共溅射φ100mm范围内（除去边缘效应）。
三、阳极层离子源
具备离子清洗功能，最大离子能量≥700eV。
四、进样室性能指标
1、进样室尺寸约：Ф300mm*250mm；手动取放样片采用1套电动磁力送样机构送样，采用304不锈钢，具有真空获得系统和真空测量系统。
2、进样室极限真空度：≤7X10-4Pa (经烘烤除气后)；
3、进样室真空系统充干燥氮气破空，快速装入样品后开始抽气，≤30min可达到6.6x10-3Pa；
4、进样室停泵关机12小时后真空度：≤5Pa；
5、进样室真空脂润滑分子泵及变频控制电源：1台，抽速≥300L/s。
6、进样室真空测量系统：采用数显真空计，测量范围：1x105Pa-1x10-5Pa。
二、设备功能（测试项目）
1、主要用于Au、Ag、Pt、W、Mo、Ta、Ti、Al、Si、Cu、Fe、Ni、氧化铝、氧化钛、氧化锆、ITO、AZO、氮化钽、氮化钛等金属膜的制备。
2、多靶材倾斜共溅射的方式，可沉积混合物/化合物薄膜。
3、在溅射过程中加入氧、氮或其它活性气体,可沉积形成靶材物质与气体分子的化合物薄膜。
三、样品要求
1、样品尺寸要求：样品尺寸最小需大于1*1cm,仪器可镀的最大尺寸为6英寸。
2、样品非粉末，不掉粉，不掉渣，高温镀膜的样品需要耐高温。
四、收费标准
1、校内送样测试:1000元/h；
2、校外送样测试: 2000元/h。
五、联系方式
1、联系人：张倩倩，0531-88364068，qianqianzhang@sdu.edu.cn
2、设备放置地点：晶谷产业园（山东大学晶体材料中试基地）19号楼二楼
