一、仪器简介

1、型号：PEALD-100A

2、生产厂家：嘉兴科民电子设备技术有限公司

3、主要技术指标：

1）工艺能力

沉积方式：等离子体增强原子层沉积（PEALD）

可沉积薄膜种类：金属氧化物、氮化物及部分金属薄膜（如Al₂O₃、HfO₂、TiN等）

膜厚均匀性：≤±2%（200 mm基片范围）

膜厚可控性：原子级精度（单循环生长厚度0.5–2 Å）

重复性：≤±1%

2）反应腔体

基片尺寸：适配4英寸（最大支持6英寸）硅片及小尺寸基底

腔体材料：高纯铝合金+陶瓷涂层，耐腐蚀及等离子体轰击

腔体真空度：≤1×10⁻⁶Torr

3）加热与控温系统

基片加热温度范围：室温~ 400℃

温度控制精度：±0.5℃

反应腔均温性：±1℃

4）等离子体源

激发方式：13.56 MHz射频等离子体

等离子体功率：0–300 W可调

工作气体：O₂、N₂、Ar等

5）供气与前驱体系统

前驱体供给方式：气相或蒸汽源，独立管路控制

载气：高纯氮或氩气

流量控制：质量流量控制器（MFC），精度优于±1% F.S.

6）真空系统

真空泵：干式机械泵+分子泵组合

极限真空度：≤1×10⁻⁶Torr

腔体抽气速率：满足快速清洗与循环要求

二、设备功能（测试项目）

1、薄膜沉积功能

高质量氧化物薄膜沉积（如Al₂O₃、HfO₂、ZrO₂、TiO₂等）；

金属氮化物薄膜沉积（如TiN、AlN等）；

可实现多层膜及异质结结构的精确制备。

2、薄膜厚度控制与均匀性测试

膜厚控制精度达到原子层级（0.1 nm量级）；

膜厚均匀性测试（椭偏仪/ XRR / SEM等手段验证）。

3、膜质表征支持

膜厚与折射率测定；

膜层成分与化学键结构测试（XPS、FTIR支持性分析）；

膜层结晶状态检测（XRD、TEM关联测试）。

4、电学性能相关测试

电容器结构制备，用于薄膜介电常数测定；

介质击穿强度、漏电流密度测试。

5、光学性能相关测试

透明氧化物薄膜透过率与折射率表征；

光学带隙测定。

6、界面与可靠性研究

多层膜界面稳定性测试；

高温退火处理后薄膜稳定性评估；

耐等离子体轰击与化学腐蚀实验。

三、样品要求

1、样品尺寸与形态

标准支持：4英寸硅片（直径100 mm），厚度0.3–1.0 mm；

可兼容范围：小片样品（≥ 5 × 5 mm²），最大可支持至6英寸圆片；

基底形态：需为平整、坚固、不易挥发的固体基片。

2.基底材料

常用基底：Si、SiO₂/Si、石英、蓝宝石、ITO玻璃等；

特殊基底：金属片、陶瓷片等需提前确认耐温与气氛适配性；

不接受：含有易分解、易挥发或易污染反应腔的材料（如有机聚合物未经处理）。

3.表面清洁度

样品表面需洁净、无有机污染、无颗粒及水分；

建议使用丙酮/异丙醇超声清洗后烘干；

样品表面粗糙度不应影响薄膜均匀性。

4.热稳定性要求

样品需能承受室温~ 400 ℃的加热环境；

不得在沉积温度下发生分解、气化或严重变形。

5.尺寸限制

厚度：≤ 5 mm；

单次最大装片数量：约10片1 × 1 cm²小片（或1片4英寸晶圆）。

四、收费标准

1、800元/h，不足1 h按照1 h计算（制备样品时间计算在内）；

五、联系方式

1、联系人：张倩倩，0531-88364068，qianqianzhang@sdu.edu.cn

2、设备放置地点：功能晶体材料楼102