一、仪器简介

1、型号：PHI GENESIS 500

2、生产厂家：爱发科费恩斯

3、主要技术指标：

X射线聚焦束斑直径：5um~400um（Al靶）

Ar离子枪：刻蚀区域从最小束斑到10x10mm连续可调，离子能量为0-5keV连续可调。

GCIB离子枪：Ar2500团簇离子枪的电压、束流、束斑等多参数可调。紫外光源UPS：He I灵敏度Ag 4d @ 3 Mcps，能量分辨率优于110 meV，可获得功函数、费米能级、价带谱等信息。

双束中和系统：独立调节电子束和离子束，高质量获谱（PET中O=C-O中C1s FWHM≤0.85eV）。

全自动五轴样品台：可实现X、Y、Z方向的移动，常中心旋转0~360°，倾斜0°~90°，角度分辨≤±1º；冷热样品台可实现-140℃~800℃原位测试。

低能反光电子能谱：入射电子能量＜5 eV，分辨率＜0.45 eV，可获得材料导带信息

二、设备功能（测试项目）

1、XPS、XPS角分辨测试

2、二次电子成像，XPS成像

3、深度剖析（Ar离子/团簇离子刻蚀）

4、紫外光电子能谱（UPS）

5、低能量反光电子能谱（LEIPS）

三、样品要求

1、块体样品要求平整，干净，导电性好，尺寸必须大于5*5 mm-小于10*10 mm左右，厚度小于2 mm；粉末样品优先选择旋涂法，基材材质为ITO、FTO、单晶硅片等导体材料，且表面导电性连续。

2、样品需回收者，请提前说明并在收到测试结果1周后尽快取样。

四、收费标准

1、XPS采谱：400元/样（全谱+4个窄谱，每多1个窄谱加50元）

2、XPS角分辨测试：每转一个角度按一个样品收费（全谱+4个窄谱，每多1个窄谱加50元）

3、二次电子成像：200元/图

4、XPS成像：500元/图

5、表面清洁：200元（两分钟内）

6、深度剖析（Ar离子/团簇离子刻蚀）：2000元/h，每进行一次XPS采谱按一次样品收费

7、紫外光电子能谱（UPS）：500元/样

8、低能量反光电子能谱（LEIPS）：1000元/样

9、真空试样转移仓：500元/次

五、联系方式

1、联系人：

陈谦，15065864237，chenqian4237@163.com

何老师，the@sdu.edu.cn

2、设备放置地点：功能晶体材料楼318