职称：教授，博士生导师
邮箱：wshp@sdu.edu.cn
研究领域：无机光电功能晶体；低维晶体与器件；太赫兹光谱技术
个人简历
王善朋，1979年6月生，山东青岛人，教授三级岗、博士生导师，山东大学杰出中青年学者、齐鲁青年学者。2013-2014作为访问学者赴德国康斯坦茨大学物理系进行合作研究。现为山东大学晶体材料全国重点实验室学术骨干，主要研究兴趣包括：（1）新型高效红外非线性光学晶体生长与激光性能研究；（2）无机光电功能材料的固相合成与性能研究；（3）新型二维层状晶体制备与光电器件研究；（4）高分辨THz时域光谱及超快载流子动力学研究。近年来，主持承担国家自然科学联合基金重点、国家自然科学基金面上、山东省自然科学基金面上、教育部联合基金、JKW创新基金等10余项。在ACS Nano, Adv. Funct. Mater.,Adv. Sci., Laser & Photonics Rev.，Adv. Opt. Mater., Infomat, Chem. Mater., Cryst. Growth Des., Phys. Rev. B, Opt. Lett., Opt. Express等国际权威期刊发表SCI论文80余篇，授权发明专利10余项。受邀在国际国内学术会议做学术报告10余次，2015年全国晶体生长与材料学术会议上做邀请报告并被评为“青年优秀论文奖”。担任中国稀土学会稀土晶体专业委员会委员，中国感光学会非线性光功能材料与器件技术专业委员会委员，受邀担任国际期刊Crystals编委、人工晶体学报青年编委以及Adv. Mater., Adv. Funct. Mater., Chem. Mater., Cryst. Growth & Des., J. Cryst. Growth等期刊审稿人。作为第一负责人制定国家标准1项，行业标准（惯约标准）1项。
教育及工作经历
2024.01—2028.12 山东大学 晶体材料研究院 杰出中青年学者
2018.01—2022.12 山东大学 晶体材料研究所 齐鲁青年学者
2015.09— 今 山东大学 晶体材料研究所 教授
2013.01—2014.01 德国康斯坦茨大学物理系 访问学者
2009.12— 今 山东大学 晶体材料研究所 副教授
2007.07—2009.07 山东大学 晶体材料研究所 讲师
2007.12—2009.12 山东大学 晶体材料研究所 师资博士后
2002.09—2007.06 山东大学 晶体材料研究所 工学博士
承担人才、科研项目情况
1. 山东大学杰出中青年学者项目，70万，在研
2. 山东大学齐鲁青年学者项目，50万，完成，期满评估优秀
3. 国家自然科学联合基金重点项目，102 /306万，在研
4. 国家自然科学基金面上项目，50万，在研
5. 国家自然科学基金面上项目，76.8万，完成
6. 国家自然科学基金青年项目，20万，完成
7. 教育部联合基金面上项目，100万，完成
8. 山东省自然基金面上项目，10万，在研
9. 基础科研项目，200万，完成
10. JKW创新基金，70万，完成
11. 山东省自然基金面上项目，17万，完成
12. ZF预研项目，500万，完成，学术骨干参与
13. 科技部973课题，684万，完成，学术骨干参与
代表性论文
1. Xu, K.; Ma, C.; Liu, S.; Li, X.; Yin, Y.; Zhao, L.; Gao, Z.; Wang, S., Polar selenide single crystal LiGa0.5In0.5Se2 with a bulk photovoltaic effect for highly sensitive self-driven X-ray detection.Materials Horizons 2025.
2. Mi, M.; Zhang, Q.; Wang, S.; Zhang, X.; Xiao, H.; Yu, L.; Song, H.; Ma, C.; Dai, S.; Lyu, B.; Fan, J.; Shen, B.; Li, F.; Chen, Y.; Zhang, Q.; Liu, M.; Wang, S.; Liu, X.; Wang, Y., Electrical Control of Magnetic Order Transition in 2D Antiferromagnetic Semiconductor FePS3.Advanced Science 2025,12(15), e2413892.
3. Ma, C.; Li, X.; Wang, S.; Xu, K.; Li, Z.; Wang, X.; Wang, S., Numerical simulation and modified Bridgman growth of high-quality and large-sized LiGaS2mid-infrared optical crystals.CrystEngComm2025.
4. Xiao, H.; Lyu, B.; Mi, M.; Yuan, J.; Zhang, X.; Yu, L.; Cui, Q.; Wang, C.; Song, J.; Huang, M.; Tian, Y.; Liu, L.; Taniguchi, T.; Watanabe, K.; Liu, M.; Guo, Y.; Wang, S.; Wang, Y., Polarity‐Reversal of Exchange Bias in van der Waals FePS3/Fe3GaTe2Heterostructures.Advanced Science2024,11, 2409210.
5. Sun, L.; Wang, S.; Ma, C.; Wei, L.; Tao, X.; Wang, S., High-Detectivity and Broadband Photodetector Based on LiInP2Se6 Semiconductors.ACS Applied Optical Materials2024,2, 679-686.
6. Yu, L.; Mi, M.; Xiao, H.; Wang, S.; Sun, Y.; Lyu, B.; Bai, L.; Shen, B.; Liu, M.; Wang, S.; Wang, Y., Intercalation-Induced Monolayer Behavior in Bulk NbSe2.ACS Appl Mater Interfaces 2024,16(43), 59049-59055.
7. Wei, L.; Zhang, Q.; Wang, S.; Ma, Y.; Wang, Z.; Xia, F.; Zhai, T.; Yuan, H.; Liu, X.; Tao, X.; Wang, S., Linear Dichroism Conversion in Quasi‐1D Weyl Semimetal (TaSe4)2I Crystal with Giant Optical Anisotropy.Advanced Optical Materials2024,122401066.
8. Wang, S.; Ma, C.; Xu, K.; Zhang, J.; Yang, F.; Tao, X.; Wang, S., Unraveling the Deep‐Level Defects Induced Optical Losses in LilnSe2Crystal toward Enhancement of Mid‐Infrared Laser Radiation.Laser & Photonics Reviews2024,18, 2400191.
9. Lv, C.; Jia, N.; Qian, Y.; Wang, S.; Wang, X.; Yu, W.; Liu, C.; Pan, H.; Zhu, Q.; Xu, J.; Tao, X.; Loh, K. P.; Xue, C.; Yan, Q., Ammonia Electrosynthesis with a Stable Metal-Free 2D Silicon Phosphide Catalyst.Small2023,19(10), e2205959.
10. Mi, M. J.; Zheng, X. W.; Wang, S. L.; Zhou, Y.; Yu, L. X.; Xiao, H.; Song, H. N.; Shen, B.; Li, F.; Bai, L. H.; Chen, Y. X.; Wang, S. P.; Liu, X. H.; Wang, Y. L., Variation between Antiferromagnetism and Ferrimagnetism in NiPS3by Electron Doping.Advanced Functional Materials 2022,32(29), 2112750.
11. Wang, Z.; Luo, P.; Han, B.; Zhang, X.; Zhao, S.; Wang, S.; Chen, X.; Wei, L.; Yang, S.; Zhou, X.; Wang, S.; Tao, X.; Zhai, T., Strong In-Plane Anisotropic SiP2as a IV-V 2D Semiconductor for Polarized Photodetection.ACS Nano2021,15(12), 20442.
12. Wang, Z.; Qiao, J.; Zhao, S.; Wang, S.; He, C.; Tao, X.; Wang, S., Recent progress in terahertz modulation using photonic structures based on two-dimensional materials.InfoMat2021,3(10), 1110-1133.
13. Zhao, S. Q.; Luo, P.; Yang, S. J.; Zhou, X.; Wang, Z. M.; Li, C. L.; Wang, S. P.; Zhai, T. Y.; Tao, X. T., Low-Symmetry and Nontoxic 2D SiP with Strong Polarization-Sensitivity and Fast Photodetection.Advanced Optical Materials2021,9(9), 2100198.
14. Yu, T.; Nie, H.; Wang, S.; Zhang, B.; Zhao, S.; Wang, Z.; Qiao, J.; Han, B.; He, J.; Tao, X., Two-Dimensional GeP-Based Broad-Band Optical Switches and Photodetectors.Advanced Optical Materials 2020,8(2), 1901490.
15. Qiao, J.; Wang, S. P.; Wang, Z. M.; He, C.; Zhao, S. Q.; Xiong, X. X.; Wang, S. L.; Zhang, X. X.; Tao, X. T., Ultrasensitive and Broadband All-Optically Controlled THz Modulator Based on MoTe2/Si van der Waals Heterostructure.Advanced Optical Materials2020,8(17), 2000160.
16. Zhang, X.; Wang, S.; Lee, C.-K.; Cheng, C.-M.; Lan, J.-C.; Li, X.; Qiao, J.; Tao, X., Unravelling the effect of sulfur vacancies on the electronic structure of the MoS2 crystal.Physical Chemistry Chemical Physics 2020,22(38), 21776-21783.
17. Yu, T.; Wang, S.; Zhang, X.; Li, C.; Qiao, J.; Jia, N.; Han, B.; Xia, S.-Q.; Tao, X., MnSiP2: A New Mid-IR Ternary Phosphide with Strong SHG Effect and Ultrabroad Transparency Range.Chemistry of Materials 2019,31(6), 2010-2018.
18. Li, C.; Wang, S.; Li, C.; Yu, T.; Jia, N.; Qiao, J.; Zhu, M.; Liu, D.; Tao, X., Highly sensitive detection of polarized light using a new group IV–V 2D orthorhombic SiP.Journal of Materials Chemistry C2018,6(27), 7219-7225.
19. Zhao, S.; Yu, T.; Wang, Z.; Wang, S.; Wei, L.; Chen, X.; Wang, S., Flux Method Growth of Large Size Group IV–V 2D GeP Single Crystals and Photoresponse Application.Crystals 2021,11(3), 235.
20. Qiao, J.; Liang, Q.; Wang, S.; Xiong, X.; Tao, X.; Dekorsy, T., Optimized seeded Bridgman growth and temperature dependent THz optical properties of LiInS2 crystals.CrystEngComm2019,21(16), 2614-2619.
21. Jia, N.; Wang, S.; Wang, P.; Li, C.; Yu, T.; Qiao, J.; Li, C.; Xiong, X.; Sun, J.-L.; Tao, X., Ultrasensitive photodetectors based on a high-quality LiInSe2 single crystal.Journal of Materials Chemistry C 2018,6(46), 12615-12622.
22. Jia, N.; Xiong, X.; Wang, S.; Yu, T.; Han, B.; Qiao, J.; Li, C.; Tao, X., Optimized oriented seed growth and optical properties of high-quality LiInSe2 crystals.CrystEngComm2018,20(48), 7802-7808.
23. Jia, N.; Wang, S.; Gao, Z.; Wu, Q.; Li, C.; Zhang, X.; Yu, T.; Lu, Q.; Tao, X., Optimized Growth of Large-Sized LiInSe2 Crystals and the Electric–Elastic Properties.Crystal Growth & Design2017,17(11), 5875-5880.
24. Wang, S.; Dai, S.; Jia, N.; Zong, N.; Li, C.; Shen, Y.; Yu, T.; Qiao, J.; Gao, Z.; Peng, Q.; Xu, Z.; Tao, X., Tunable 7-12 μm picosecond optical parametric amplifier based on a LiInSe2mid-infrared crystal.Optics Letters 2017,42(11), 2098-2101.
25. Liang, Q.; Wang, S.; Tao, X.; Dekorsy, T., Temperature dependence of free carriers and optical phonons in LiInSe2in the terahertz frequency regime.Physical Review B2015,92(14), 144303.
26. Li, C.; Wang, S.; Zhang, X.; Jia, N.; Yu, T.; Zhu, M.; Liu, D.; Tao, X., Controllable seeded flux growth and optoelectronic properties of bulk o-SiP crystals.CrystEngComm 2017,19(46), 6986-6991.
27. Yu, T.; Wang, S.; Ruan, H.; Li, C.; Zhang, X.; Jia, N.; Zhang, J.; Tao, X., Flux growth and characterization of an FeSi4P4 single crystal.RSC Advances 2017,7(76), 47938-47944.
28. Zhang, X.; Lou, F.; Li, C.; Zhang, X.; Jia, N.; Yu, T.; He, J.; Zhang, B.; Xia, H.; Wang, S.; Tao, X., Flux method growth of bulk MoS2 single crystals and their application as a saturable absorber.CrystEngComm2015,17(21), 4026-4032.
29. Zhang, X.; Yu, T.; Li, C.; Wang, S.; Tao, X., Synthesis and Crystal Structures of the Calcium Silicon Phosphides Ca2Si2P4, Ca3Si8P14 and Ca3Si2P4.Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie 2015,641(8-9), 1545-1549.
30. Wang, S.; Gao, Z.; Zhang, X.; Zhang, X.; Li, C.; Dong, C.; Lu, Q.; Zhao, M.; Tao, X., Crystal Growth and Effects of Annealing on Optical and Electrical Properties of Mid-Infrared Single Crystal LiInS2.Crystal Growth & Design2014,14(11), 5957-5961.
授权发明专利
1. 王善朋，魏立美，陶绪堂，准一维(TaSe4)2I和MoTe2混维异质结光电晶体管探测器及制备方法，专利号：202510037859.8,中国, 2025.9.8
2. 王善朋，王子明，陶绪堂，二维SiP2和h-BN复合结构光电晶体管及制备方法，专利号：202210914216.3,中国, 2024.8.23
3. 王善朋，陶绪堂，于童童，赵淑琪，张百涛，何京良，二维层状GeP单晶纳米薄膜的制备及应用，专利号：ZL201910826293.1,中国, 2021.09.28
4. 王善朋，陶绪堂，李春龙，于童童，正交相二维层状SiP单晶及薄膜的制备方法及其应用，专利号：ZL201610590752.7,中国, 2018.10.16
5. 王善朋，陶绪堂，张翔，于童童，一种室温铁磁半导体材料MnSiP2及其制备方法和应用，专利号：ZL201610590747.6,中国, 2018.5.4.9
6. 王善朋，陶绪堂，蒋民华,多元化合物红外晶体生长装置,专利号：200810138560.8,中国, 2010.7.14
7. 陶绪堂，张西霞，王善朋，一种金属助熔剂法生长过渡金属硫属化合物晶体的方法，专利号：ZL201510172682.9，中国, 2017.4.5
8. 陶绪堂，王善朋，刘贯东，蒋民华,硫族化合物多晶原料的两步合成方法, 专利号：200910019454.2,中国, 2011.10.12
9. 陶绪堂，王善朋，刘贯东，蒋民华，一种LiGa3Te5单晶体及其制备方法和应用,专利号：201010292892.9,中国, 2012.10.17
10. 陶绪堂，张国栋，王善朋，施琼，阮华棚，蒋民华，磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置，专利号：201110083468.8,中国, 2012.7.04
11. 陶绪堂，张国栋，王善朋，施琼，阮华棚，蒋民华，磷硅镉单晶的生长方法,专利号：201110083331.2,中国, 2012.6.27
12. 陶绪堂，张国栋，王善朋，施琼，阮华棚，蒋民华，磷硅镉多晶料的合成方法，专利号：201110083363.2,中国, 2012.6.27
13. 陶绪堂，王善朋，董春明，蒋民华，多元金属无机硫族化合物的高压釜合成方法，专利号：ZL200610068497.6中国, 2008.2.13
制定标准
1. 王善朋，陶绪堂，孙洵等。单轴晶光学晶体折射率测量方法，国家标准，GB/T39865-2021，2021.10.1
2. 王善朋，李春龙，陶绪堂，孙洵等。KDP/DKDP晶体材料折射率测量方法—垂直入射法，行业标准（惯约标），GYB21-2018，2018.5.1
联系方式
电话：0531-88364180，E-Mail：wshp@sdu.edu.cn
诚邀材料、物理、光学、化学等专业的硕士、博士研究生和博士后加入团队。
